研究概要 |
本研究は、p型ダイヤモンドを基本とした金属-圧電体-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MPIS-FET)圧力センサー構造を提案する。平成21-22年度の期間で、様々な絶縁体薄膜(Al_2O_3,CaF_2)を用いた、ダイヤモンド基板上に圧電体Pb(Zr_<0.52>,Ti_<0.48>)O_3(PZT)薄膜の成長を実現させた。絶縁体薄膜とPZT結晶成長方向、残留分極電荷の関係を明らかにする。一方、単結晶ダイヤモンドのマイクロ・ナノ可動構造体カンチレバーおよびブリッジの作製に成功した。また、各成膜の構造およびMPISキャパシタの電気特性の評価、MPIS-FET圧力センサーのデバイス構造最適化を行った。
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