本研究ではイオン刺激に代わり、交流磁場に応答してナノ細孔を開閉する磁場応答ゲート膜の創製と、これを用いた新規プロセス・単位操作・システムの開発を目指した。本コンセプトの実現のため、ポリカーボネイト多孔膜のNIPAM(N-isopropylacrylamide)グラフト重合膜を作製し、これをグラフト開始点より切断することによって、分子量分布を測定して、膜作製条件、膜細孔内構造、そして透過流束の関係を明らかにした。 またクラウンエーテルモノマーとNIPAMをグラフト共重合したイオン認識ゲート膜のエタノール水溶液中での応答挙動を明らかにして、本ゲート膜が態有機溶剤性も十分に持つとともに、本コンセプトを実現するために有機溶媒で加工プロセスを行っても、機能が十分に維持されることを実証した。
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