研究課題
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EuOは強磁性転移温度が約70Kの強磁性半導体であり、将来、有望なスピントロニクスデバイス材料として注目されている。EuOをスピンフィルターなどのスピントロニクスデバイスとして応用するためには、膜厚を1原子層レベルでコントロールした単結晶超薄膜の作製技術の確立、その基礎物性、および物性の発現と深く関わっている電子構造を明らかにすることが必要不可欠である。本研究では、適切なバッファー層を導入することにより、原子層レベルで膜厚を制御したEuO単結晶超薄膜を作製するとともに、その磁気的特性および電子構造の実験的決定に成功した。
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Physical Review Letters 106
ページ: 056404(4 pages)
Applied Physics Letters 96
ページ: 232503(3pages)
Journal of Physics : Conference Series 200
ページ: 012124(4pages)
Physical Review B, American Physical Society 82
ページ: 155309(6pages)
Physical Review B 81
ページ: 165432(4pages)
http://www.uvsor.ims.ac.jp/staff/skimura/indexj.htm