2010 年度研究成果報告書

化合物半導体ナノワイヤ気相選択成長における積層不整の第一原理的研究と結晶構造制御

研究課題

研究課題/領域番号	21860001
研究種目	研究活動スタート支援
配分区分	補助金
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	北海道大学
研究代表者	古賀裕明北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教 (80519413)
研究期間 (年度)	2009 – 2010
キーワード	ナノ材料 / 結晶成長 / 表面再構成 / 第一原理計算 / ガリウムヒ素
研究概要	化合物半導体ナノワイヤに用いられる代表的な物質であるガリウムヒ素について、主要な結晶面(-1-1-1)の原子構造を、第一原理計算とよばれる極めて信頼性の高い理論計算手法により検証した。高温相(√19×√19相)に関する従来の構造に誤りがあることを指摘し、エネルギー安定性の観点から正しい構造を提唱した。さらに、このような表面構造や、他のV族元素の吸着がガリウムヒ素のナノ構造に大きく影響する可能性を予測した。