2010 年度研究成果報告書

同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCへテロ界面の電子デバイス応用に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	21860060
研究種目	研究活動スタート支援
配分区分	補助金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	奈良先端科学技術大学院大学
研究代表者	堀田昌宏奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (50549988)
研究期間 (年度)	2009 – 2010
キーワード	ヘテロ接合デバイス / 炭化ケイ素(SiC) / 窒化アルミニウム(AlN) / 結晶成長
研究概要	4H-AlN/4H-SiC(11-20)へテロ界面物性の解明を目的として,ヘテロジャンクション電界効果トランジスタ(HFET)およびヘテロジャンクションを有するホール効果測定素子の作製を行った. SiCエピタキシャル成長やイオン注入など, SiCに関するプロセスは問題なく進めることができたが, AlNのエピタキシャル成長およびその後のプロセスにおいて課題が残り,最終的にデバイスを完成させることができなかった.今後,これらの課題を解決し,デバイスを完成させるとともに,デバイスの電気的特性評価を行うことで,界面物性の解明することを引き続き目指す.