研究課題
2年目には、さらに一歩進めて1次元ヘテロ構造の概念を広げた。まず、SWCNT-BNNT-WS2ヘテロ構造において、最外層としてチューブ状のタングステンジサルファイド(WS2)が実現された。さらに、このWS2は、前述のチューブ状のMoS2と軸方向に結合させることができ、1次元MoS2 - WS2軸方向接合を形成することができた。このようなナノチューブ構造は、径方向および軸方向の両方で異なるものであり、全体の構造は幅5nmに制限されていた。1次元MoS2 - WS2軸方向接合のほか、1次元MoS2 - WS2合金ナノチューブも最外層として実現することができた。この「ダブルヘテロ」構造は、現在の1次元ヘテロ構造の知識を拡張するだけでなく、次世代の電子デバイスや光電子デバイスとして新たに開発された1次元ヘテロ構造の研究への基盤を築いている。
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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すべて 雑誌論文 (4件) (うち国際共著 4件、 査読あり 4件、 オープンアクセス 3件) 学会発表 (2件)
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