| 研究課題/領域番号 |
21H01029
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
長尾 全寛 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (80726662)
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| 研究分担者 |
大島 大輝 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (60736528)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | スキルミオン / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
高密度状態のスキルミオンの運動を流体力学的観点から研究を行った。スパッタリング法によってTa(5)/Co20Fe60B20(1)/Ta(0.08)/MgO(2)/Ta(5)スキルミオン生成の試料構成を探ったが、高密度スキルミオンの生成は困難であった。そこで、Pt/Co/Taに変更して研究を行った。こちらも最適な密度のスキルミオンを得ることが困難であることが分かった。一方で、合成条件を検討することで、スキルミオン安定化に不可欠なジャロシンスキー・守谷相互作用の増大に成功し、自発的なスキルミオンの生成に成功した。この成果によって、レーストラックメモリで課題であった読み取りエラー検出も可能になった。
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| 自由記述の分野 |
スピントロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
実験において最適なスキルミオン密度を得ることは困難であったものの、研究過程でCMOSとの親和性が高いために工業的に利点があるスパッタリング法でジャロシンスキー・守谷相互作用の増強に成功し、磁場フリースキルミオンの生成に成功したことは、今後のスピントロニクス応用においてデバイス微細化が見込まれ、新たなスピントロニクスデバイスの創製に繋がる成果である。読み取りエラー検出可能なレーストラックメモリの提案はこれら成果によって初めて実現可能となったものであり、今後の省エネルギーコンピューティングの実現へ貢献するものである。
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