| 研究成果の概要 |
原子数層の厚みを持つ極薄膜や、表面界面に現れる新しい物性・物質開発を目的に、薄膜の開発や電解液・固体界面を用いたデバイス開発を行った。その結果、(1) バルクでは存在しない新しい層状物質CoTe2, NiTe2 を薄膜として開発した。(2)ゲルマナン薄膜について低温で非常に高い移動度を持つ二次元ホールガスを開発した。(3) 電気化学エッチングの手法を用いて遷移金属酸化物の代表的な金属である SrVO3 の原子スケールの膜厚制御を実現した。また、SrNbO3,SrTaO3極薄膜において金属絶縁体転移を初めて観測し、ラシュバ型スピン軌道相互作用が、酸化物としては非常に大きいことを見出した。
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