• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2023 年度 実績報告書

低温プラズマ加工の理論-計算-計測の連携環境構築による一原子一分子制御工学の創成

研究課題

研究課題/領域番号 21H01073
研究機関名古屋大学

研究代表者

関根 誠  名古屋大学, 低温プラズマ科学研究センター, 特任教授 (80437087)

研究分担者 堤 隆嘉  名古屋大学, 低温プラズマ科学研究センター, 講師 (50756137)
石川 健治  名古屋大学, 低温プラズマ科学研究センター, 教授 (60417384)
研究期間 (年度) 2021-04-01 – 2024-03-31
キーワードプラズマ / エッチング
研究実績の概要

人類及び地球の繁栄のための持続的な開発を推進する上で,電子情報ナノシステムの発展は欠かせない.システムを構成する集積回路・センサ・アクチュエータなどの素子の作製は,微細加工・プラズマエッチングが基盤技術となり,現在1原子1分子レベルの反応プロセス制御『アトミックスケールエンジニアリング』が要求されるにもかかわらず,プラズマエッチング技術の開発には,試行錯誤が繰り返され,理論に基づく予測や原理に則した革新的な技術が創出されているとは言い難い.このような背景から,エッチング反応の原理的な解明が必要である.本研究では,この解明を達成する為,反応過程をⅠ)気相中反応,Ⅱ)活性種輸送,Ⅲ)表面反応の3段階に階層化し,階層的に解析スキームを構築することを目指す.それぞれ,原理的な理論構築から計算科学を活用したシミュレーション予測,反応を素過程に細分化した実証・検証実験,さらに大量生産に対応できるエッチング装置での実験,プラズマと表面の相互作用の進展を動力学解析等で実施する.すなわち,理論-計算-実験を統合した研究基盤を構築するアプローチを探索しながら,プラズマと表面の相互作用の『アトミックスケールエンジニアリング』を学問体系化し,次代イノベーション電子情報デバイスの創出に貢献する基盤技術を開拓する.今年度は,バーチャル実験環境の構築に,高アスペクト比構造の高材料選択比プラズマエッチング加工を取り上げた.そこで,過去においてもエッチング使用の経験のないハイドロフルオロカーボンのガスに着目し,数々の分子について量子化学計算を進め,電子衝突が及ぼす励起解離の予測に取り組んだ.

現在までの達成度 (段落)

令和5年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和5年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (38件)

すべて 2024 2023

すべて 雑誌論文 (10件) (うち国際共著 2件、 査読あり 10件、 オープンアクセス 3件) 学会発表 (28件) (うち国際学会 28件、 招待講演 3件)

  • [雑誌論文] <i>In situ</i> atom-resolved observation of Si (111) 7×7 surface with F radical and Ar ion irradiation simulated atomic layer etching2024

    • 著者名/発表者名
      Tsutsumi Takayoshi、Asano Atsuki、Kondo Hiroki、Ishikawa Kenji、Sekine Makoto、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science &amp; Technology A

      巻: 42 ページ: 032603

    • DOI

      10.1116/6.0003432

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dissociative properties of C<sub>4</sub>F<sub>6</sub> obtained using computational chemistry2024

    • 著者名/発表者名
      Hayashi Toshio、Ishikawa Kenji、Sekine Makoto、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 ページ: 04SP26~04SP26

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad3166

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-temperature growth at 225?°C and characterization of carbon nanowalls synthesized by radical injection plasma-enhanced chemical vapor deposition2024

    • 著者名/発表者名
      Minh Ngo Quang、Van Nong Ngo、Oda Osamu、Ishikawa Kenji、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 224 ページ: 113180~113180

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2024.113180

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Nitrogen admixture effects on growth characteristics and properties of carbon nanowalls2024

    • 著者名/発表者名
      Christy Peter Raj Dennis、Van Nong Ngo、Britun Nikolay、Minh Ngo Quang、Nguyen Thi-Thuy-Nga、Kondo Hiroki、Oda Osamu、Ishikawa Kenji、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 795 ページ: 140322~140322

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2024.140322

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Plasma-Driven Sciences: Exploring Complex Interactions at Plasma Boundaries2024

    • 著者名/発表者名
      Ishikawa Kenji、Koga Kazunori、Ohno Noriyasu
    • 雑誌名

      Plasma

      巻: 7 ページ: 160~177

    • DOI

      10.3390/plasma7010011

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Surface sulfurization of amorphous carbon films in the chemistry of oxygen plasma added with SO2 or OCS for high-aspect-ratio etching2024

    • 著者名/発表者名
      Ishikawa Kenji、Nguyen Thi-Thuy-Nga、Aoki Yuta、Sato Hiroyasu、Kawakami Junichi、Tsuno Shuji、Hsiao Shih-Nan、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 645 ページ: 158876~158876

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2023.158876

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Bias-supply timing tailored to the aspect ratio dependence of silicon trench etching in Ar plasma with alternately injected C4F8 and SF62023

    • 著者名/発表者名
      Yoshie Taito、Ishikawa Kenji、Nguyen Thi-Thuy-Nga、Hsiao Shih-Nan、Tsutsumi Takayoshi、Sekine Makoto、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 638 ページ: 157981~157981

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2023.157981

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] An approach to reduce surface charging with cryogenic plasma etching using hydrogen-fluoride contained gases2023

    • 著者名/発表者名
      Hsiao Shih-Nan、Sekine Makoto、Ishikawa Kenji、Iijima Yuki、Ohya Yoshinobu、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 123 ページ: 212106

    • DOI

      10.1063/5.0173553

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Gas-phase study of the behavior of trimethyl gallium and triethyl gallium by optical emission spectroscopy and quadrupole mass spectroscopy for the growth of GaN by REMOCVD (radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition)2023

    • 著者名/発表者名
      Dhasiyan Arun Kumar、Jayaprasad Swathy、Amalraj Frank Wilson、Shimizu Naohiro、Oda Osamu、Ishikawa Kenji、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 ページ: SN1019~SN1019

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acfd34

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Manipulation of etch selectivity of silicon nitride over silicon dioxide to a-carbon by controlling substrate temperature with a CF4/H2 plasma2023

    • 著者名/発表者名
      Hsiao Shih-Nan、Britun Nikolay、Nguyen Thi-Thuy-Nga、Tsutsumi Takayoshi、Ishikawa Kenji、Sekine Makoto、Hori Masaru
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 210 ページ: 111863~111863

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2023.111863

    • 査読あり
  • [学会発表] Cryogenic Atomic Layer Etching of Silicon Nitride Alternating Surface Modification with HF Purge and Ar Plasma2024

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Yuki Iijima and Masaru Hori
    • 学会等名
      ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, 2024/3/3-3/7, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Determination of ground state atomic concentrations during etching process2024

    • 著者名/発表者名
      Michael K. T. Mo, S.-N. Hsiao, M. Sekine, M. Hori, and N. Britun
    • 学会等名
      ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, 2024/3/3-3/7, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Selective Etching of SiO2 and SiN over Polycrystalline Si Using PF3/H2 Plasmas2024

    • 著者名/発表者名
      Chih-Yu Ma, Shih-Nan Hsiao, Michael K. T. Mo, Nikolay Britun, Makoto Sekine and Masaru Hori
    • 学会等名
      ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, 2024/3/3-3/7, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Atomic layer etching of platinum with sequential exposure to high -density oxygen/argon plasma and formic acid vapor at low temperature2024

    • 著者名/発表者名
      Thi-Thuy-Nga Nguyen, Daijiro Akagi, Toshiyuki Uno, Takeshi Okato, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
    • 学会等名
      ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, 2024/3/3-3/7, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] A pseudo-wet cryogenic plasma etching of SiO2 investigated with in-situ surface monitoring2023

    • 著者名/発表者名
      S-N Hsiao, M. Sekine, K. Ishikawa, T.Tsutsumi, and M. Hori Y Iijima, R. Suda, Y. Kihara
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Hydrofluorocarbon Molecule Dissociation through Photoeoctron-Photoion Coincidence (PEPICO) Studies2023

    • 著者名/発表者名
      Tran Trung Nguyen, Toshio Hayashi, Hiroshi Iwayama, Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Masaru Hori and Kenji Ishikawa,
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Etch selectivities of SiO2 and SiN against a-C films using CF4/H2 plasma at low temperature2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Imai, S-N. Hsiao, M. Sekine, K. Ishikawa, T. Tsutsumi, M. Iwata, M. Tomura,Y. Iijima, K. Matsushima and M. Hori
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Dissociative properties of C4F6 obtained using computational chemistry2023

    • 著者名/発表者名
      T. Hayashi, K. Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Simultaneous measurements of F, O and H ground state atom density in an industry-grade etching plasma2023

    • 著者名/発表者名
      M. K. T. Mo, S.-N. Hsiao, M. Sekine, M. Hori, and N. Britun
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Electron-Beam-Assisted Self-limiting fluorination of GaN surface using XeF2 for Atomic Layer Etching2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Izumi, T. Tsutsumi, H Kondo, M. Sekine, M. Hori, and K. Ishikawa
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Compositions of Ions Related with Electrode Materials in Pulsed Plasma for High-Aspect-Ratio Hole Etching2023

    • 著者名/発表者名
      K. Toji, T. Tsutsumi, S-N. Hsiao, M. Sekine, M. Hori, and K. Ishikawa
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Control of etching profile by bias supply timing in cyclic process using C4F8/SF6 gas modulated plasma2023

    • 著者名/発表者名
      T. Yoshie, K. Ishikawa, T. Tsutsumi, M. Sekine, and M. Hori
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023), 2023/11/21-22, Nagoya, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] A mechanism for cryogenic etching of SiO2 using CF4/H2 and HF plasmas based on in-situ monitoring techniques2023

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Yusuke Imai, Makoto Sekine, Nikolay Britun, Michael K. T. Mo, Yuki Iijima, Ryutaro Suda, Yoshinobu Ohya, Yoshihide Kihara, and Masaru Hori
    • 学会等名
      36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023), 2023/11/14-17, Sapporo, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Surface reactions during atomic layer etching of platinum by high-density nitrogen-oxygen plasma and organic acid vapor2023

    • 著者名/発表者名
      Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura, Kenji Maeda, Kenetsu Yokogawa, Masaru Izawa, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
    • 学会等名
      AAPPS-DPP2023, 2023/11/12-17, Nagoya, Japan
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Plasma Etching Technology Next Milestone of Assurance Energy and Environment2023

    • 著者名/発表者名
      Kenji Ishikawa
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2023 32nd Asian Session (ADMETA Plus 2023)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Surface reactions during atomic layer etching of platinum by high-density nitrogen-oxygen plasma and organic acid vapor2023

    • 著者名/発表者名
      Thi-Thuy-Nga Nguyen, Daijiro Akagi, Toshiyuki Uno, Takeshi Okato, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
    • 学会等名
      AVS 69th International Symposium and Exhibition (AVS 69), 2023/11/5-10, Portland, USA
    • 国際学会
  • [学会発表] A pseudo-wet plasma etching mechanism for SiO2 at cryogenic temperature using hydrogen fluoride gas with in-situ surface monitoring2023

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Yuki Iijima, Ryutaro Suda, Yoshinobu Ohya, Yoshihide Kihara, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
    • 学会等名
      AVS 69th International Symposium and Exhibition (AVS 69), 2023/11/5-10, Portland, USA
    • 国際学会
  • [学会発表] Etching Selectivities of SiO2 and SiN Against a-C Films Using CF4/H2 with a Pseudo-Wet Plasma Etching Mechanism2023

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Imai, S. Hsiao, M. Sekine, T. Tsutsumi, K. Ishikawa, M. Iwata, M. Tamura, Y. Iijima, T. Gohira, K. Matsushima, Y. Ohya, M. Hori,
    • 学会等名
      AVS 69th International Symposium and Exhibition (AVS 69), 2023/11/5-10, Portland, USA
    • 国際学会
  • [学会発表] Transient behavior of cycle process in Ar plasma with alternately injected C4F8 and SF62023

    • 著者名/発表者名
      Taito Yoshie, Kenji Ishikawa, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Shih-Nan Hsiao, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 学会等名
      13th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2023), 2023/11/5-8, Busan, Korea
    • 国際学会
  • [学会発表] Unravelling Dissociation of Hydrofluorocarbon Molecules through Photoelectron-Photoion Coincidence (PEPICO) Studies2023

    • 著者名/発表者名
      Tran Trung Nguyen, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Hiroshi Iwayama, Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 学会等名
      13th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2023), 2023/11/5-8, Busan, Korea
    • 国際学会
  • [学会発表] On the mechanism of high-speed SiO2 etching using hydrogen fluoride-contained plasmas at cryogenic temperature2023

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Nikolay Britun, Michael Kin-Ting Mo, Yusuke Imai, Takayoshi Tsusumi, Kenji Ishikawa, Yuki Iijima, Masahiko Yokoi, Ryutaro Suda, Yoshihide Kihara and Masaru Hori
    • 学会等名
      Global Plasma Forum in Aomori , 2023/10/15-18, Aomori, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Simultaneous measurements of F, O and H ground state atom density in an industry-grade etching plasma2023

    • 著者名/発表者名
      M. K. T. Mo, S.-N. Hsiao, M. Sekine, M. Hori, and N. Britun
    • 学会等名
      Global Plasma Forum in Aomori , 2023/10/15-18, Aomori, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Plasma-based pseudo-wet mechanism for cryogenic SiO2 etching using hydrogen-contained fluorocarbon gases with an in-situ surface analysis2023

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Manabu Iwata, Maju Tomura, Yuki Iijima, Taku Gohira, Keiichi Matsushima, Yoshinobu Ohya, Masaru Hori
    • 学会等名
      The 76th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC76), 2023/10/9-13, Michigan, USA
    • 国際学会
  • [学会発表] Non-Halogen Plasma for Selective Removal of Titanium Compounds Applied in Advanced Atomic Layer Etching2023

    • 著者名/発表者名
      Thi-Thuy-Nga Nguyen, K. Shinoda, S. Hsiao, H. Hamamura, Maeda, K. Yokogawa, M. Izawa, K. Ishikawa, M. Hori
    • 学会等名
      23rd International Conference on Atomic Layer Deposition, 10th International Atomic Layer Etching Workshop (ALD/ALE2023), 2023/7/23-26, Washington, USA
    • 国際学会
  • [学会発表] Frontiers of Plasma Etching Technology for Advanced Semiconductor Devices2023

    • 著者名/発表者名
      Kenji Ishikawa
    • 学会等名
      International Conference on Phenomena in Ionized Gases ICPIG XXXV , 2023/7/10-14, the Netherland
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Atomic layer etching of SiN films with CF4/H2 surface modification and H2/N2 plasma exposure2023

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine1 and Masaru Hori
    • 学会等名
      International Conference on Phenomena in Ionized Gases ICPIG XXXV , 2023/7/10-14, the Netherland
    • 国際学会
  • [学会発表] A comparative study on the CF4/H2 and HF/H2 plasmas for etching of highly hydrogenated SiN films2023

    • 著者名/発表者名
      Shih-Nan Hsiao, Nikolay Britun, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 学会等名
      25th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC25), 2023/5/21-26, Kyoto, Japan
    • 国際学会
  • [学会発表] Global and local contribution analysis of process parameters in Plasma enhanced chemical vapor deposition of amorphous carbon har2023

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Ando, Jumpei Kurokawa, Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Data Driven Plasma Sciences ( ICDDPS-4 ), 2023/4/16-21, Okinawa, Japan
    • 国際学会

URL: 

公開日: 2024-12-25  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi