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2023年度は、2023年度の研究結果を受けて、{100}<001>圧延再結晶集合組織Cuテープ上にNiをエピタキシャル成長させた金属テープ上に、還元性雰囲気中で (Sr1-XLaX) TiO3(置換率x=0.05~0.15)薄膜を導電性中間層として成膜し、その上に2軸配向したYBa2Cu3O7超伝導薄膜をエピタキシャル成長させたYBa2Cu3O7/La-STO/Ni/Cu試料の77 K、自己磁場中の臨界電流密度JcおよびYBa2Cu3O7層とCu層の間の層間抵抗の評価を行った。
JcはYBa2Cu3O7超伝導薄膜の作製条件に強く依存し、酸素分圧32 Pa、成膜温度745℃で作製した場合に最も高い値、Jcは=1.1 MA/cm2が得られた。特にJc値は成膜温度に敏感に依存し、成膜温度が5℃ずれるとJcは数分の1まで大きく低下することが分かった。
また、試料を適切な形状にパターニングして、厚さ方向に電流を流して、77 KにおいてYBa2Cu3O7層とCu層の間の1 cm2当たりの層間抵抗R層間を測定した。R層間は成膜時間が長くなるにしたがって大きくなり、4分で成膜することによってR層間=1.9×10-5Ωcm2、ρ=0.13Ωcmと、導電性中間層として十分に低い抵抗が得られた。
以上のように、Niと(Sr1-XLaX) TiO3(置換率x=0.05~0.15)を導電性中間層とすることで、2軸結晶配向させたCuテープを用いて実用的な性能を有するAgを使用しない低コストな高温超伝導線材の作製が可能となることを示した。
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