本研究では、MBE法で作製した単原子層薄膜の電子状態をARPESによってイメージング化し、ある結晶構造/端構造を持つ原子層構造を定義することで得られる電子状態と比較する理論計算スクリーニングを行う。これにより、原子層物質の結晶構造および端構造を特定し、新物質の創製およびエッジ物性の創出を可能にする。本研究によりH-SiC上における2DTI候補物質ビスマセンやラシュバ絶縁体a-BIやa-Sbの作製および結晶構造の同定と電子状態解明をARPESおよび第一原理計算によって実現した。また、1T’-WTe2における負の熱膨張係数を起源とする電子状態の変化をARPESおよび第一原理計算によって解明した。
|