研究課題/領域番号 |
21H01768
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 関西学院大学 |
研究代表者 |
日比野 浩樹 関西学院大学, 工学部, 教授 (60393740)
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研究分担者 |
影島 博之 島根大学, 学術研究院理工学系, 教授 (70374072)
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研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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キーワード | グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 化学気相成長 / ヘテロ構造 / 第一原理計算 / 二硫化モリブデン |
研究成果の概要 |
我々は、Cu表面にグラフェン(Gr)と六方晶窒化ホウ素(h-BN)の横型および縦型ヘテロ構造を成長順序によって作り分けられることを報告してきた。本研究では、縦型ヘテロ構造形成において課題となっていたGr成長中のh-BNのエッチングを、成長雰囲気や炭素源ガスの種類によって抑制できることを示した。また、Grまたはh-BNで部分的に覆われたCu表面での各種成長前駆体の吸着エネルギーを第一原理計算し、横型と縦型の成長様式の切り替わりがGrおよびh-BN島のエッジが水素終端されているかどうかによって決定されることを解明した。さらに、Grやh-BNを直接成長させたサファイア上でのMoS2の成長も実現した。
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自由記述の分野 |
表面科学
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
グラフェンの発見以来、数多くの二次元(2D)物質が作製され、その広範なライブラリが構築されている。2D物質はそれぞれが得意の応用分野を持つだけでなく、ヘテロ構造による新しい物理や機能の発現に大きな期待がある。本研究により得られた2Dヘテロ構造の結晶成長機構に関する知見は、デザインされた2Dヘテロ構造を作製する技術の確立を通して、2D物質の産業応用に貢献する。
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