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本研究では、我々が有するSn系IV族混晶成長技術をさらに発展させて、一般的な熱平衡状態では存在し得ない非平衡的な新奇超高Sn組成IV族混晶薄膜を創製し、その電子物性の解明・制御に基づいて、新世代固体素子発展に資する工学基盤の構築を目指した。InPやGaSbなどの大格子定数基板の活用によってSn組成25～50%、膜厚10～100 nmのGeSnエピタキシャル層の形成を実証できた。また、フォトルミネッセンス法によりGeSn/GeSiSn積層構造や多積層GeSnナノドット/SiO2構造などの光電変換特性を明らかにした。
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