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本研究では、反射高速電子回折（RHEED）法の高度化及び強度シミュレーションによる最適なRHEED条件の探査により、物質表面上の水素の原子位置を高精度に決定することを目的としている。本年度は、水素吸着Ni(111)及び水素吸着Pd(001)表面の実験・解析を実施した。
始めに、本研究の最初の測定対象であるNi(111)-2×2-2H表面の実験を実施した。強度シミュレーションにより見出したRHEED条件において、ロッキング曲線及び方位角プロットを測定した。結果として、水素吸着に伴う強度変化を観測し、現在、動力学的回折理論に基づく強度解析を進めている。上記の測定に加えて対称性の良い入射方位においてロッキング曲線を測定したところ、微弱な2×2スポットのロッキング曲線を測定できることがわかった。この結果は当初の予想外であったが、2×2スポット自体を構造解析に利用できることは、表面水素位置決定におけるRHEED法の有用性をさらに高めることになる。実際、先行研究により得られている水素の原子配置及びNi(111)表面の第1層のランプリングを考慮することにより、おおよその形状を再現できることがわかった。今後の解析により実験と計算の一致度を改善することで、RHEEDによる高精度な水素位置決定を実現できると考えられる。
上記の解析と並行して、次の測定対象である水素吸着Pd(001)-2×2-H表面の実験を実施した。水素曝露により発現する2×2スポットの強度は弱く、現在のところ広いドメインを持つ2×2超構造の形成には至っていない。強度シミュレーションにより水素位置に敏感なRHEED条件の探査は終えているため、今後、最適な2×2超構造の形成条件を見出し、Pd(001)表面及びサブサーフェスに位置する水素の位置決定の可能性について検証を進める。
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