研究課題/領域番号 |
21H01886
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分32010:基礎物理化学関連
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
渡邊 一也 京都大学, 理学研究科, 教授 (30300718)
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研究分担者 |
安池 智一 放送大学, 教養学部, 教授 (10419856)
奥山 弘 京都大学, 理学研究科, 准教授 (60312253)
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研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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キーワード | 局在プラズモン / plexciton / 輻射場ー物質強結合 / 表面分光 |
研究成果の概要 |
超高真空下で作製した銀クラスター上にフラーレンを吸着させ,銀の局在プラズモンとフラーレンの電子遷移の結合によるplexciton状態の形成を実現した.分子の吸着量とplexciton固有エネルギーの相関を実験的に明らかにし,加えて,局在プラズモンと分子の電子遷移を点双極子近似した理論モデルを新たに考案し,その固有エネルギーにおける協同効果を微視的に説明することに成功した.理論考察から,plexciton相互作用エネルギーは0.6 eV を超え,強結合の領域に入っていることがわかった.
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自由記述の分野 |
物理化学
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
輻射場と物質の結合によるポテンシャル変調の可能性は近年着目されているが,その微視的機構については不明な点が多い.本研究では,金属ナノ粒子の局在プラズモンと吸着分子の強結合について,これまで行われてこなかった表面科学的分析手法を駆使して,特にその吸着量とplexciton状態の固有エネルギーの関係を明らかにした.この成果は今後の輻射場-物質結合による物性変調研究の発展の礎となるものである.
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