| 研究課題/領域番号 |
21H03412
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
鶴岡 徹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主席研究員 (20271992)
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| 研究分担者 |
寺部 一弥 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA主任研究者 (60370300)
土屋 敬志 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主幹研究員 (70756387)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | 固体イオニクス / 人工ニューロン / 人工シナプス / 固体電解質 / 原子層堆積法 |
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| 研究実績の概要 |
今年度は、固体電解質と混合伝導体チャネルを用いたイオンゲート型シナプストランジスタの開発に着手した。プトロン伝導体であるナフィオンのスピンコート膜を電子線描画によりパターンニングする手法を開発し、酸化インジウムスズ（IZO）をチャネルとしたプロトンゲート型トランジスタを作製した。負のゲート電圧でプロトンのナフィオンからIZOチャネルへのインターカレーション、正のゲート電圧でIZOチャネルからナフィオンへのデインターカレーションによりチャネルコンダクタンスが連続的に変化する。さらにゲートに電圧パルスを印加すると、短期および長期のシナプス可塑性を示すことを見出した。電圧パルス列に対して100以上の多値をもつ長期増強と長期抑制が観測された。得られたシナプス特性を用いて、多層パーセプトロンモデルで構成される人工ニューラルネットワーク（ANN）による手書き数字画像の識別精度を計算した結果、84%と見積もられた。また、リチウムリン酸窒化物（LiPON）とコバルト酸リチウム（LCO）チャネルから成るLiイオンゲート型トランジスタを作製した。LCOチャネルへのMgドープによりゲート電圧パルス印加によるコンダクタンス変化の線形性が著しく改善することを見出した。ANNによる数字画像の識別精度は、Mgドープにより65%から80%に向上する。この結果は、チャネル材料の改質によりシナプスおよびANN性能を制御できることを示唆する。
微細加工プロセスに必要な平坦な薄膜形成手法として、固体電解質の原子層堆積（ALD）法プロセスを開発している。今年度はマグネシウムリン酸窒化物のALD成膜に世界で初めて成功した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
人工シナプス素子として、二つのタイプのイオンゲート型シナプストランジスタの作製に成功した。Liイオンゲート型トランジスタでは、LCOチャネルにMgをドーピングすることによりチャネルコンダクタンスが２桁以上上がるとともに、コンダクタンス変化の線形性が著しく向上することを見出した。プロトンゲート型トランジスタでは、電子線描画によるナフィオンのパターンニング方法を確立し、良好なシナプス特性とともに微細化の目処も立った。どちらのトランジスタもANNシミュレーションによる手書き数字画像の識別精度は80%を超えることが見積もられる。以上を踏まえると、概ね当初の計画通り進展していると言える。
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| 今後の研究の推進方策 |
前年度に開発した側方抑制ニューロン素子はイオンの低いLi固体電解質を用いていたため、120℃以上の動作温度が必要であった。来年度は電子線描画によりパターンニングしたナフィオンを用いて、プロトン駆動型の側方抑制ニューロン素子を室温で動作させることを目指す。また、高速動作のシナプス素子実現を目指して、チャネルに２次元材料を用いたイオンゲート型シナプストランジスタを開発する。一方、Li固体電解質のALD成膜に関しては伝導度測定用のセル作製に問題に解決の目処が立ったため、必要なデータを取得して論文化を急ぐ予定である。
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