IoTやAIなどのSociety5.0を実現する技術において重要なセンサや通信機器、LSIなどの半導体デバイスの需要が高まっている。需要に追従するためにより高速に製造する技術の研究開発が必要と考えられ、デバイスの素子配置に用いられる精密位置決め装置のより高速な位置決め技術の開発は解決方法のひとつと考えられる。高い剛性を持つ位置決め装置は共振周波数が高く、応答性が良いため、高速位置決めが可能であるが、高い共振振幅を持つ場合に、質量等による負荷の影響で共振周波数が変わると制御性能が劣化する可能性がある。本研究の共振振幅を低減する制御技術が実現すれば、より高速な位置決め技術の開発に寄与できる。
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