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2021 年度 審査結果の所見

ナノflexoelectricityの解明とbucklingメモリ素子の創製

研究課題

研究課題/領域番号 21H04534
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
研究機関京都大学

研究代表者

澄川 貴志  京都大学, エネルギー科学研究科, 教授 (80403989)

研究分担者 島 弘幸  山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (40312392)
梅野 宜崇  東京大学, 生産技術研究所, 教授 (40314231)
安部 正高  京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (50582623)
服部 梓  大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (80464238)
研究期間 (年度) 2021-04-05 – 2024-03-31
研究の概要

ひずみ勾配が生じた強誘電体は、ひずみ勾配と電気分極の間の機械的電気結合効果(フレクソエレクトリック効果)を示すことが知られている。本研究では、ナノレベルでひずみ勾配を制御した力学試験による現象評価と、力学理論の構築による現象解明、さらに、機構の飛び移り座屈を利用したナノ構造の強誘電体メカニカルメモリの実現を目指している。

学術的意義、期待される成果

ひずみ勾配が生じた強誘電体に現れるフレクソエレクトリック効果は、材料寸法がナノスケールまで小さくなると、効果の急拡大と自由表面での反電場の影響によって支配的且つ特有の特性の発現が予測されており、ナノテクノロジー分野での応用が期待されている。しかしながら、未だ理解途上のメカニズムである。本研究により、学理としての整理が期待される。

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公開日: 2021-07-07  

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