2021 年度審査結果の所見

酸化物半導体と強誘電体HfO2の融合による三次元集積デバイスとその応用技術の創出

研究課題

研究課題/領域番号	21H04549
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	東京大学
研究代表者	小林正治東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (40740147)
研究期間 (年度)	2021-04-05 – 2024-03-31
研究の概要	低温で形成でき高い機能性を有する酸化物半導体と強誘電体HfO2の融合を基軸として、酸化物半導体トランジスタで強誘電体HfO2メモリ要素を駆動する三次元集積化可能な大容量メモリデバイスと、それを応用した三次元積層型インメモリコンピューティングの実現に向けた学理追求と基盤技術の構築を目指す。
学術的意義、期待される成果	ビッグデータの活用が急速に進展する中で、エッジデバイスの低消費電力化とストレージメモリーの大容量化の要求・重要性は今後益々高まっていくと予想される。応募者は、現状技術の問題点と学術的問いを明確にした上で、これまでの実績と周辺技術動向に基づいた独自性の高い解決策を提案している。数値目標の設定・研究計画も具体性・説得力がある。