|
本研究では、以下の研究成果を得ることができた。
(1)SnをドープしたIGZOを用いた高移動度・高信頼性を有する酸化物半導体トランジスタを実現し、HfO2系強誘電体キャパシタと同時集積した1T1Cメモリの動作実証に成功し,
モノリシック三次元集積混載RAMの実用可能性を示した。(2)三次元垂直型InOxチャネル強誘電体トランジスタメモリの動作実証に成功し、大容量・低消費電力メモリの新しい可能性を切り開いた。(3)モノリシック三次元集積においてトランジスタの微細化に必要なナノシート酸化物半導体の原子層堆積法による成膜技術を確立し、ナノシート酸化物半導体トランジスタで高性能・高信頼性を実現した。
|
