研究課題
基盤研究(A)
SiCパワーデバイス性能の向上に向けては、SiC/SiO2界面部分の詳細な界面欠陥形成機構とその電子状態の解明が重要であり、本研究計画では真の界面欠陥の理解をするために第一原理計算を用いた界面欠陥の高精度な電子状態計算を実施する。また、表面・界面における欠陥の計算精度の確保に向けて高精度な電子状態計算法の開発についても実施する。
本研究は、従前の界面欠陥構造の理論計算アプローチでは正しく捉えきることができなかった、真の界面欠陥の理解をするための界面欠陥の高精度な電子状態計算法を導入している点、およびSiC-MOS界面の理論計算結果を界面処理にかかる実験と直接比較を行うことにより界面欠陥・電子正孔特性との相互関係を調査・解析する研究計画が立案されており、今後の発展が期待できる。
