| 研究課題/領域番号 |
21H04560
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
久志本 真希 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50779551)
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| 研究分担者 |
笹岡 千秋 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任教授 (30870381)
五十嵐 信行 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (40771100)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
深紫外LDの低閾値化および高出力化を検討し、従来の深紫外レーザ光源を代替する小型で低コストの加工用光源の実現に挑戦する。具体的な検討内容として、結晶品質の向上、AlGaN発光層の有する偏光特性と、深紫外LD実現の鍵となった不純物無添加型分極ドーピング(UID-DPD)クラッド層がデバイス特性に与える影響に着目し、新たな構造の深紫外LDの創出を目指す。
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| 学術的意義、期待される成果 |
深紫外半導体レーザの電流注入発振は、高いAl組成のAlGaNへのホールドーピングの困難によって阻まれていたが、結晶品質の向上、AlGaN発光層の偏光特性とともに不純物無添加型分極ドーピング（UID-DPD）クラッド層の導入というブレークスルーによって新たな展開を迎えている。応用面で期待されるUV-C波長における極微小深紫外半導体LDの高出力化を進めようとする応募者の強い意欲は高く評価できる。
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