| 研究課題/領域番号 |
21H04563
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
|
|---|
| 研究機関 | 京都大学 |
|---|
研究代表者 |
木本 恒暢 京都大学, 工学研究科, 教授 (80225078)
|
|---|
| 研究分担者 |
金子 光顕 京都大学, 工学研究科, 助教 (60842896)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2022-03-31
|
| 研究の概要 |
SiCは有望な材料であるが、高密度の欠陥が生じることが避け難く、そのポテンシャルを十分に引き出すことは困難であった。本研究は、応募者らが開発した独自手法によって界面欠陥密度を桁違いに低減することで、過酷な環境下でも安定した動作を可能とする「ロバストエレクトロニクス」の開拓を目指す挑戦的な試みである。
|
| 学術的意義、期待される成果 |
過酷な環境下でも安定した動作を可能とする「ロバストエレクトロニクス」の創成に必要となる新たな学理の構築が期待される。研究計画はよく練られており、成果が社会に与えるインパクトも大きいと期待できる。
|
