| 研究課題/領域番号 |
21H04609
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
福山 博之 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (40252259)
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| 研究分担者 |
大塚 誠 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (30241582)
中村 哲也 東北大学, 国際放射光イノベーション・スマート研究センター, 教授 (70311355)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
独自の熱力学的な考察に基づき深紫外LEDや次世代パワー半導体の開発に不可欠なAlNの結晶成長に適したフラックスと結晶育成条件を選定し、これまで昇華法で作製されてきたものより高品質で大型のバルク単結晶を高効率に育成する方法を提案し、その実証を行うとともに結晶成長機構の解明を目指している。
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| 学術的意義、期待される成果 |
自由度を拡張することによって結晶成長の駆動力を平衡近傍に制御しながら成長させるという新たなAlN結晶成長法を提案し、フラックス法における諸因子の最適化を図った上で、サイクル成長法や種結晶を用いた温度勾配連続成長法によりバルクAlN単結晶の育成実験を行うことに特徴があり、学術的にも産業的にも意義のある研究である。
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