研究課題
基盤研究(A)
スピンエレクトロニクスデバイス応用を目指して、ナノ磁性体におけるトポロジカル構造が誘発するスピンダンピングの物理機構の解明を目指す研究である。異種物質接合からなるトポロジカル界面を人工的に形成し制御を行う。
強磁性体・強誘電体・超伝導体等の異種物質接合によるトポロジカル構造構築から特性評価まで系統的な検討を行うことで、強磁性金属における大きなスピンダンピングを誘発する本質的な要因の解明ができ、学術的にも産業的にも成果が期待できる。