2021 年度審査結果の所見

Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発

研究課題

研究課題/領域番号	21H04642
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
審査区分	中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
研究機関	国立研究開発法人物質・材料研究機構
研究代表者	深田直樹国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 副センター長 (90302207)
研究分担者	J. Wipakorn 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員 (40748216) 宮崎剛国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (50354147) 本久順一北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263) 冨岡克広北海道大学, 情報科学研究院, 准教授 (60519411) 松村亮国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員 (90806358)
研究期間 (年度)	2021-04-05 – 2025-03-31
研究の概要	従来の微細化だけでトランジスタ性能を向上させるには限界があるため、本研究ではGeSnから形成される特殊なコアシェルヘテロ接合による高電子移動度型トランジスタ（HEMT）構造を1次元ナノワイヤ内部に構築したデバイスを実現する。さらに、本研究では実験とともに、実デバイスサイズでの大規模第一原理計算による構造設計とデバイス性能向上を狙う。
学術的意義、期待される成果	本研究では、縦型ナノワイヤデバイスの形成プロセス技術とデバイス性能予測の計算技術において独自性と優位性があり、学術的に興味深いだけでなく、産業的にも大きく貢献すると考えられる。つまり、本研究はトランジスタの発熱低減や集積化につながる技術であるため、低消費電力に対する社会ニーズに応える波及効果が期待できる。