| 研究課題/領域番号 |
21H04658
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
藤原 航三 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (70332517)
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| 研究分担者 |
前田 健作 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40634564)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2025-03-31
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| 研究の概要 |
現代の高度情報化社会の根幹を支える半導体は、千度を超える高温の融液からの結晶成長により得られる。本研究は、各種半導体のバルク単結晶／多結晶の成長過程のその場観察により、固液界面の不安定化現象の発現機構を含む、高温の融液からの結晶成長に関わる諸現象を総合的に理解し、低欠陥化等の半導体結晶の高品質化に資することを目的とする。
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| 学術的意義、期待される成果 |
本研究は、バルク結晶の高品質化という一見地味ながらきわめて重要度の高い基盤的な目標を掲げる。高温の融液からの結晶化過程を、独自のその場観察手法を用いて迫ろうとする試みは独創的であり、結晶欠陥などの各種の結晶組織の生成過程など、これまで不明であった高温下における固液界面ダイナミクスを解明し、これらの高精度な制御によって半導体結晶の高品質化に大きく資することが期待される。
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