| 研究課題/領域番号 |
21H04661
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
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| 研究分担者 |
石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2025-03-31
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| 研究の概要 |
本研究は、日本が世界をリードする窒化物半導体LEDの研究に関し、その重要課題である長波長可視領域の発光の高効率化を目的とする。そのために理想的な結晶成長基板としてScAlMgO4基板に着目し、これに格子整合したInGaN層のコヒーレント成長の実現を鍵として、緑色から赤色域で高効率発光するLEDの開発を目指している。
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| 学術的意義、期待される成果 |
青色から赤色に至るバンドギャップの幅広い制御のため、非混和性の大きいInNとGaNの混晶半導体のコヒーレント成長を材料基板上への格子整合を通して実現しようとする試みは独創的であり、半導体結晶学の観点からインパクトがある。さらに本研究の進展により、次世代マイクロディスプレイや高演色性白色照明の実現が期待される。
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