ナノスケールメモリのための金属・半導体スピントロニクス素子の革新

2021 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 21H05000
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分C
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 水上 成美 東北大学, 材料科学高等研究所, 教授 (00339269)
• 研究分担者: 浜屋 宏平 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 (90401281)
• 研究期間 (年度): 2021-07-05 – 2026-03-31