ロバストエレクトロニクスを目指したＳｉＣ半導体の学理深化

2021 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 21H05003
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分C
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 木本 恒暢 京都大学, 工学研究科, 教授 (80225078)
• 研究分担者: 金子 光顕 京都大学, 工学研究科, 助教 (60842896) ; 田中 一 関西学院大学, 工学部, 講師 (40853346)
• 研究期間 (年度): 2021-07-05 – 2026-03-31