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2021 年度 実績報告書

低次元ペロブスカイトにおける励起子自己捕獲による白色発光の原理解明

研究課題

研究課題/領域番号 21J15353
研究機関横浜国立大学

研究代表者

ベ 星旻  横浜国立大学, 理工学府, 特別研究員(DC2)

研究期間 (年度) 2021-04-28 – 2023-03-31
キーワード第一原理計算 / 自己捕獲励起子
研究実績の概要

本研究テーマの目的は、低次元物質における励起子の自己捕獲現象を占有率制限密度半関数法で計算することで、発光スペクトルや捕獲ダイナミックスなどを導出することが目的である。
令和3年度には、零次元ペロブスカイトの一種であるCs3Bi2I9に関して自己捕獲励起子計算を行い、励起子の自己捕獲パターンが少なくとも4つ存在することを示した。各自の捕獲パターンの原子核緩和に伴う励起子自己捕獲の障壁や発光スペクトルを理論的に導出した。
本研究の成果は、令和3年度秋季日本物理学会や国際学会の口頭発表で発信している。それに加えて、類似した励起子捕獲機構を持つ、Mg不純物がドープされたGaNに関して、励起子捕獲に伴う不純物由来の発光スペクトルの計算を行い、発光スペクトルの応力制御について査読論文を発表した。[S. Bae et al., ACS Appl. Elec. Mater., 3, 12, 5257-5264 (November 2021)]物質への応力印加は原子配置に歪みを与えることで、励起子の自己捕獲による原子構造緩和に影響を与え、捕獲エネルギー障壁及び発行スペクトルのコントロールが可能になると期待される。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

自己捕獲励起子による発光スペクトルは、電子や正孔の電荷密度の局在化に伴う原子緩和に大きく影響される。密度半関数法の交換相関半関数の一般的な近似(局所密度近似: Local Density Approximationや一般化勾配近似: Generalized Gradient Approximation)は、局在した電子状態において自己相互作用エラーを含むため、捕獲励起子の計算が困難である。広い範囲の物質における自己相互作用エラーを効果的に補正するために、従来のon-site potentialによる自己相互作用補正に、角運動量の依存性を持たせるように計算計算コードを拡張した。自己相互作用補正のコードの拡張により、異方性が大きい低次元物質について効果的な自己相互作用が可能になり、次元ペロブスカイトCs3Bi2I9における励起子自己捕獲の計算に成功している。

今後の研究の推進方策

自己捕獲励起子の計算のための自己相互作用補正や計算ルーチンが確立したことで、広範囲の低次元物質における発光スペクトルの計算が可能になっている。従来の目標であった、零次元ペロブスカイトにおける励起子自己捕獲計算から、さらに1次元、2次元ペロブスカイトにおける励起子自己捕獲計算に拡張することで、物質の次元による励起子捕獲のメカニズムを系統的に示すことで、高い効率の白色発光材料の学理に基づいた設計指針を与える。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2022 2021

すべて 雑誌論文 (3件) (うち国際共著 1件、 査読あり 1件) 学会発表 (3件) (うち国際学会 3件)

  • [雑誌論文] Parallel Alignment of Methylammonium Cations in an Orthorhombic CH3NH3PbC3 Single Crystal Observed by Polarized Micro-Raman Scattering Spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      Kim Yejin、Bae Soungmin、Park Joohee、Nguyen Trang Thi Thu、Jung Hye Ri、Jo William、Kim Yong-Hoon、Raebiger Hannes、Yoon Seokhyun
    • 雑誌名

      Chemistry of Materials

      巻: 34 ページ: 2972~2980

    • DOI

      10.1021/acs.chemmater.1c03744

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Strain Engineering to Release Trapped Hole Carriers in p-Type Haeckelite GaN2021

    • 著者名/発表者名
      Bae Soungmin、Kang Yoon-Gu、Ichihashi Kodai、Khazaei Mohammad、Swamy Varghese、Han Myung Joon、Chang Kee Joo、Shudo Ken-ichi、Raebiger Hannes
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 3 ページ: 5257~5264

    • DOI

      10.1021/acsaelm.1c00765

  • [雑誌論文] MXene Phase with C3 Structure Unit: A Family of 2D Electrides2021

    • 著者名/発表者名
      Bae Soungmin、W Espinosa‐Garcia、 William、Kang Yoon‐Gu、Egawa Noriyuki、Lee Juho、Kuwahata Kazuaki、Khazaei Mohammad、Ohno Kaoru、Kim Yong‐Hoon、Han Myung Joon、Hosono Hideo、Dalpian Gustavo M.、Raebiger Hannes
    • 雑誌名

      Advanced Functional Materials

      巻: 31 ページ: 2100009~2100009

    • DOI

      10.1002/adfm.202100009

  • [学会発表] Exciton self-trapping and broad photoemission in zero-dimensional Cs3Bi2I92021

    • 著者名/発表者名
      Soungmin Bae, Hannes Raebiger
    • 学会等名
      MRM2021
    • 国際学会
  • [学会発表] Strain control of hole carriers in p-type Mg-doped haeckelite GaN2021

    • 著者名/発表者名
      Soungmin Bae, Hannes Raebiger
    • 学会等名
      STAC12
    • 国際学会
  • [学会発表] Coherent phonon generation of ultrafast exciton trapping at VSe+O2 defect complex in monolayer MoSe22021

    • 著者名/発表者名
      Soungmin Bae, Tae Yong Jeong, Hannes Raebiger, Ki Ju Yee, Yong-Hoon Kim2
    • 学会等名
      The 31st International Conference on Defects in Semiconductors
    • 国際学会

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公開日: 2022-12-28  

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