| 研究課題/領域番号 |
21K04133
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
坂井 延寿 東京大学, 環境安全研究センター, 助教 (70554765)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | ミストCVD / XAFS / 電子状態 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では複数の前駆体溶液を用いてミスト源を分離すると共に、放射光XAFSなどの分光手法を用いて、薄膜・溶液中での金属イオンの状態を明らかにすることでミストCVDの成膜メカニズムを明らかにすることを目的としている。
本年度は複数のミスト源を用いた製膜とその薄膜の基礎的な評価に主眼を置いて研究を行った。特に機能性硫化物の薄膜作製においてミスト源の分離が有効に作用しており、用いる前駆体化合物の他、溶媒の選択も薄膜形成の有無を決定しているなど、ミストCVDの成膜メカニズムに関わる知見を得ることができた。
一方で、コロナ禍における半導体などの電子部品の不足から新規の薄膜作製装置の開発が遅れており、想定通りのペースで薄膜作製と評価が進んでいない。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
コロナ禍に由来して電子部品の調達に時間を要しており、新型の超音波霧化薄膜作製装置の開発が遅れているため。
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| 今後の研究の推進方策 |
引き続き複数のミスト源を用いたミストCVD薄膜作製装置の開発を継続する。
作成した薄膜の通常の物性評価を行うと共に放射光実験における薄膜・溶液XAFS測定に着手する。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
コロナ禍における電子部品調達の遅れにより、装置開発が遅れているため。
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