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研究成果発表報告書
h-BNを用いたトップエミッション型深紫外LEDの実現
研究課題
研究課題/領域番号
21K04147
研究種目
基盤研究(C)
配分区分
基金
応募区分
一般
審査区分
小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関
国立研究開発法人産業技術総合研究所
研究代表者
山田 永
国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60644432)
研究分担者
熊谷 直人
国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40732152)
山田 寿一
国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, ラボ研究主幹 (20358261)
研究期間 (年度)
2021-04-01 – 2024-03-31
研究成果
(
1
件)
すべて
2022
すべて
産業財産権 (1件) (うち外国 1件)
[産業財産権] 化合物半導体基板
2022
発明者名
山田 永
権利者名
国立研究開発法人産業技術総合研究所
産業財産権種類
特許
産業財産権番号
111149605(台湾)
外国