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本研究では、その結晶構造により自発分極を有するκ-Ga2O3 の分極電荷を利用した高電子移動度トランジスタ（HEMT）を目標に研究を行った。Si (111) 基板上に有機金属気相堆積法で成膜した 3C-SiC (111)上にファインチャネル型ミスト化学気相堆積法によってGa2O3を成膜し、κ-Ga2O3を成膜する基礎検討を行った。κ-Ga2O3 HEMTを実現するために必要な平坦な薄膜成膜条件の模索を行い、成膜中に発生するパーティクル抑制のための成膜装置の改良、原料溶液の濃度、ミスト供給量を最適化することによって、平坦なκ-Ga2O3 薄膜が3C-SiC上に成膜できることが明らかになった。
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