| 研究課題/領域番号 |
21K04812
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分28010:ナノ構造化学関連
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| 研究機関 | 東京都市大学 |
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研究代表者 |
星 裕介 東京都市大学, 理工学部, 准教授 (70748962)
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| 研究分担者 |
石川 亮佑 東京都市大学, 理工学部, 教授 (50637064)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | 原子層 / 電流注入型発光素子 / 近赤外光 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、原子層積層構造を母材とした局所電場制御技術を利用することで、近赤外光放射する電流注入型発光素子を開発した。まず発光層となる二テルル化モリブデン(MoTe2)の大面積形成を目指し、数層MoTe2を化学的気相成長法、単層MoTe2を金剥離法で形成する技術を確立した。また、MoTe2を用いた局所電場制御技術によりエレクトロルミネッセンス素子が作製できることを示した。本手法が、原子層材料を用いたバレーフォトニクスデバイス創製に効果的であることが分かった。
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| 自由記述の分野 |
ナノ構造化学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
電流注入型発光素子を開発する場合、３次元的な結晶構造からなる半導体では結晶中に不純物をドーピングしPN接合を形成する必要がある。本研究では、局所電場制御技術を利用することで二次元半導体中の任意の領域においてキャリア密度を変調することに成功しており、これにより不純物ドーピングせずにMoTe2を発光層とした電流注入型発光素子作製に成功している。本研究で確立した手法は、バレー自由度に由来した基礎物性調査やオプトエレクトロニクス素子開発への基盤技術となる。
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