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シリコン振動子の検出方法として利用するpnダイオード静電容量検出センサは，ビルトインポテンシャルを利用できるために振動子の逆バイアス電圧が不要になることから，低電圧駆動および小電力デバイスとして利用できる．本研究では，この振動子センサの外部入出力を無線で行うことを可能とすることを目指して，空乏層からなるシリコンpnダイオード振動子の高周波特性の定量的解明を主な目的とした．
この結果，静電容量方式のために周波数が高くなると信号の遺漏が増大するという欠点が深刻化することが明らかになり，この欠点を補うために微小な信号電流を検出するためのいくつかのセンサ回路を開発して比較検討評価を行った．
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