| 研究課題/領域番号 |
21K04880
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
國吉 望月 大阪大学, 大学院工学研究科, 招へい研究員 (40897443)
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| 研究分担者 |
渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | ゲルマニウムスズ / スパッタリング / エピタキシャル成長 / GeSn / 結晶成長 |
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| 研究成果の概要 |
スパッタリング法による、固溶限以上のSnが含有したゲルマニウムスズ（GeSn）薄膜のエピタキシャル成長法の確立を目指した。基板温度やスパッタパワーを調整することでGe基板上に単結晶GeSn薄膜をエピタキシャル成長させることに成功した。結晶欠陥の低減や歪み緩和によるGeSn薄膜の高品質化を目指し、ELO（Epitaxial Lateral Overgrowth）技術を用いた基板の作製にも取り組んだ。作製したELO基板上にGeSnを成膜すると、結晶性の良い領域を確認することができた。
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| 自由記述の分野 |
半導体材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
光電融合材料の候補であるGeSnに関する研究の多くは、CVDやMBEで薄膜を形成し、評価方法は材料特性や電気特性について示されており、スパッタリング法による成膜や室温での光学特性に関する報告はあまり多くない。本研究では、スパッタエピタキシャル成長によりGeSnの単結晶化を実現し、その発光特性を評価した。研究がさらに進展することで単結晶GeSnの大面積化が可能となり、光電融合研究に寄与するものと予想する。
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