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2022 年度 実施状況報告書

新規THz波受送信素子向け低温成長Bi系混晶半導体中の欠陥の評価および制御

研究課題

研究課題/領域番号 21K04910
研究機関明治大学

研究代表者

上田 修  明治大学, 研究・知財戦略機構(生田), 研究推進員(客員研究員) (50418076)

研究分担者 富永 依里子  広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授 (40634936)
塩島 謙次  福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (70432151)
池永 訓昭  金沢工業大学, 工学部, 准教授 (30512371)
研究期間 (年度) 2021-04-01 – 2024-03-31
キーワードBi系半導体混晶 / MBE / 低温成長 / 結晶欠陥 / THz波受送信素子 / 欠陥評価 / TEM
研究実績の概要

令和4年度は、研究計画に沿って研究を遂行し、以下の成果が得られた。
(1)今年度、新たに250℃でInGaAsBiを得て、そのX線回折測定とラザフォード後方散乱法(RBS)による測定から、低温成長GaAsBiと比較して成長時の同一のV/III比ではBi組成が低くなる傾向を明らかにした。光通信帯光源が利用可能な光伝導アンテナの作製に向け、禁制帯幅を光通信帯域とした低温成長InGaAsBiを得るため、低温成長InGaAsBiのInとBi両原子の組成制御を可能とするMBE成長条件を見出す必要があることを示す結果となった(富永)。
(2) 前年度に引き続き、低温MBE成長GaAsBi結晶層(成長温度250℃)及び非晶質層(成長温度180℃)を熱処理したものを透過電子顕微鏡法(TEM)により解析した結果、新たに以下のことを明らかにした。まずGaAsBi結晶層では、600℃熱処理により上層部および下層部でそれぞれ、V字状および逆V字状のBi析出物が形成される。また、GaAsBi非晶質層では、熱処理温度が600℃以上で全層単結晶化する一方、BiおよびBi-richなGaAsBi析出物が、薄膜/基板界面近傍にのみ形成される傾向にある(O. Ueda et al., J. Cryst. Growth 601, 126945 (2023))(上田、池永、富永)。
(3)低温MBE成長GaAsBiに対してフォトコンダクティビィティー(PC)測定を行った。昨年度報告したフォトレスポンス(PR)スペクトルの場合と同様に、ロックイン検出で位相差が発生し、基礎吸収と欠陥に起因するスペクトルの裾野を分離して評価することに成功した。PR特性を中心とした結果をADMETA Plus 2022にて発表し、ポスターアワードを受賞した(塩島、富永)。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

令和4年度は、
1) 250℃でのInGaAsBiのMBE成長を実現し、そのX線回折測定とRBSによる測定から、低温成長GaAsBiと比較して成長時の同一のV/III比ではBi組成が低くなる傾向を明らかにした。
2)また、GaAsBi層の熱処理においては、結晶層で600℃熱処理により上層部および下層部でそれぞれ、V字状および逆V字状のBi析出物が形成されるなどの新しい知見が得られた。
3)さらに、低温MBE成長GaAsBiに対してフォトコンダクティビィティー(PC)測定を行った結果、ロックイン検出で位相差が発生し、基礎吸収と欠陥に起因するスペクトルの裾野を分離して評価することに成功した。
このように、全体として、おおむね当初の計画通り研究が進められたと考える。

今後の研究の推進方策

令和4年度においては、おおむね計画通りの成果が得られたので、次年度は、InGaAsBi薄膜を中心として、当初の計画に従って、薄膜成長と熱処理、微細構造と欠陥の評価および電気的、光学的評価の研究を進めて行く。具体的には、以下の各項目を遂行する。
1) InGaAsBi薄膜の成長条件最適化(Bi組成制御)
2)低温成長でのInGaAsBi結晶層および非晶質層の作製および熱処理
3) 2)の各結晶層の結晶評価(TEMによる微細構造および欠陥の評価、および電気的、光学的評価

次年度使用額が生じた理由

1.上田分予算で次年度使用額(249,494円)が生じた理由:令和4年度に予定していた国内出張および共同研究先への出張がコロナ禍の影響で中止となり、不使用となったため。249,494円は、次年度、対面式の国内学会等の参加に伴う出張、共同研究先への出張の費用、材料費等にあてる。
2.塩島分予算で次年度使用額(211,935円)が生じた理由:a)当該年度予定していた謝金を他の財源から充当したこと、b)出張予定の会議の一部がweb開催となり、その出張費が発生しなかったことによる。この不使用額の211,935円は、次年度の謝金として使用する。
注)次年度使用額の内訳は、上田分が249,494円、塩島分が211,935円である。

  • 研究成果

    (18件)

すべて 2023 2022

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (14件) (うち国際学会 4件、 招待講演 2件)

  • [雑誌論文] Structural evaluation of GaAs1-xBix obtained by solid-phase epitaxial growth of amorphous GaAs1-xBix thin films deposited on (001) GaAs substrates2023

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Noriaki Ikenaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Fumitaka Nishiyama, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Yoriko Tominaga
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 601 ページ: 126945-1~11

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2022.126945

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and n-GaN by scanning internal photoemission microscopy2022

    • 著者名/発表者名
      Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi, Toshiyuki Tamai
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 ページ: 086506-1~6

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac7bc5

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Surface Treatment in Au/Ni/ n-GaN Schottky Contacts Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Substrates2022

    • 著者名/発表者名
      Kenji Shiojima, Hiroki Imabayashi, Tomoyoshi Mishima
    • 雑誌名

      Journal of the Society of Materials Science, Japan

      巻: 71 ページ: 819~823

    • DOI

      10.2472/jsms.71.819

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2022

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Imabayashi, Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 ページ: SA1012-1~7

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac8d6f

    • 査読あり
  • [学会発表] (001)GaAs基板上のGaAs1-xBix薄膜の構造評価(1)熱処理した低温成長GaAs1-xBix薄膜中の欠陥のTEM評価2023

    • 著者名/発表者名
      上田修、池永訓昭、堀田行紘、高垣佑斗、西山文隆、行宗詳規、石川史太郎、富永依里子
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] (001)GaAs基板上のGaAs1-xBix薄膜の構造評価(2)固相成長したGaAs1-xBix薄膜中の欠陥のTEM評価2023

    • 著者名/発表者名
      上田修、池永訓昭、堀田行紘、高垣佑斗、西山文隆、行宗詳規、石川史太郎、富永依里子
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 様々な結晶成長-Bi系III-V族半導体半金属混晶の分子線エピタキシャル成長から細菌を用いたGaAs系III-V族化合物半導体混晶まで-2023

    • 著者名/発表者名
      富永依里子
    • 学会等名
      新結晶成長学シンポジウム(応用物理学会中国四国支部)
    • 招待講演
  • [学会発表] 低温MBE成長GaAsBi層の光電評価2023

    • 著者名/発表者名
      梅田皆友、今林弘毅、塩島謙次、梅西達哉、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、上田修
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] V/III atomic ratio during molecular beam epitaxial growth of dilute bismide III-V compound semiconductors at low temperatures2022

    • 著者名/発表者名
      Yoriko Tominaga
    • 学会等名
      The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM2022))
    • 国際学会
  • [学会発表] Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy2022

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, and Tetsu Kachi
    • 学会等名
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-IX))
    • 国際学会
  • [学会発表] Two-dimensional characterization of the edge structure of Ni/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy2022

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Imabayashi, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022))
    • 国際学会
  • [学会発表] Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers2022

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Osamu Ueda
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session (ADMETA Plus 2022)
    • 国際学会
  • [学会発表] 低温成長GaAs1-xBixのホッピング伝導機構の解析2022

    • 著者名/発表者名
      原田南斗、梅西達哉、香西優作、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、梶川靖友
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 低温成長GaAs1-xBixの光信号応答時間のBi組成依存性2022

    • 著者名/発表者名
      齋藤聖哉、梅西達哉、原田南斗、香西優作、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、小島磨
    • 学会等名
      第41回電子材料シンポジウム(EMS-41)
  • [学会発表] 界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価2022

    • 著者名/発表者名
      今林弘毅、塩島謙次、加地徹
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるNi/n-GaNショットキー接触の電極端面構造の二次元評価2022

    • 著者名/発表者名
      今林弘毅、堀切文正、成田好伸、福原昇、三島友義、塩島謙次
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化2022

    • 著者名/発表者名
      今林弘毅、堀切文正、成田好伸、福原昇、三島友義、塩島謙次
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子部品・電子デバイス(ED)研究会
  • [学会発表] 界面顕微光応答法による電極界面の2次元評価ーこの7年間の進歩ー2022

    • 著者名/発表者名
      塩島謙次
    • 学会等名
      日本材料学会 2022年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
    • 招待講演

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公開日: 2023-12-25  

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