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本研究プロジェクトにおいて、時間依存多配置法が、強いレーザー場に照射された気相分子のシミュレーションに使用できることを実証した。そして、三つの異なるタイプの分子励起過程、すなわち、電子励起、振動励起、回転励起のすべてを時間依存多配置法によって記述できることを示した。原理実証の最初のデモンストレーションとして、数サイクルの強いレーザーパルスにさらされた水素分子イオンのダイナミクスを計算した。電子励起と回転励起の過程を計算し、得られた結果を参照手法で得られた結果と比較することによって、時間依存多配置法が分子の時間依存ダイナミクスのシミュレーションを正確に記述できる手法であることを明らかにした。
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