現在の半導体製造プロセス容器の内部壁は絶縁酸化物で被覆されており、被膜はプラズマの曝露により劣化していく。これによりプラズマに不均一性が生じたり、プラズマ電位の変動によりイオンエネルギー、つまりプロセスの精度に影響を与えたりする可能性がある。そのため、装置の異常検知やメンテナンス箇所の見極めは非常に重要である。 本研究では、電極及び壁面の電位計測により、簡易的な等価回路モデルを用いながらも、浮遊壁に囲まれたプラズマの電位の推定が可能となった。また、画像の再構成からプラズマ発光の2.5次元空間情報の取得を確認した。これらの手法は、新しいプロセスプラズマの非接触評価方法として有望であると考えられる。
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