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本研究では，金属/絶縁体界面のフォノン散乱を解明することを目的とし，金属―絶縁体相転移材料であるVO2およびＷをドープしたVO2（W-VO2）の成膜技術の確立とVO2単相のバルク体の熱物性の測定を行った．VO2およびW-VO2の成膜では，スパッタリング法を用いた成膜法により3桁以上抵抗変化をするVO2膜を作製できた．さらに成膜したW-VO2の相転移温度はVO2の相転移温度より低下しており，Wドープにより相転移温度が制御できることが実証できた．VO2の焼結では，理論密度に対する相対密度が95％以上の焼結体を作製できた．焼結体の潜熱，比熱，熱伝導率を測定し，VO2単相の物性を明らかにした．
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