| 研究課題/領域番号 |
21K14203
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 一般財団法人電力中央研究所 |
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研究代表者 |
浅田 聡志 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 主任研究員 (70870509)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | 炭化ケイ素 (SiC) / バイポーラトランジスタ / 少数キャリア移動度 / 真性キャリア密度 / バンドギャップ |
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| 研究成果の概要 |
半導体素子であるバイポーラトランジスタの電気特性から、材料物性値(真性キャリア密度・バンドギャップ)を導出する新手法を考案した。炭化ケイ素(SiC)に対して本手法を適用することで、SiCの上記の物性値の導出に成功した。従来手法により得られる値と新手法により導出した値とを比較することで本手法の妥当性を確認した。また、導出過程にもとづいてSiCの物性値の見積り誤差を明示することで、本手法により求まる物性値の誤差範囲を明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
パワー半導体
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体材料の物性値を明らかにすることは、学術的に重要であるのみならず、半導体デバイスの高精度な電気・光学特性シミュレーションや、それにもとづくデバイス設計・性能向上に必須である。昨今では、脱炭素の実現にむけてSiCパワーデバイスの性能向上が強く求められており、本研究で得られた知見はその社会的要請に資する。また、本研究で確立した手法は他材料にも適用可能な普遍的な手法となる。以上のように本研究の成果は学術・産業応用の両方に寄与する。
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