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スパッタリング法を用いて，ワイル磁性体の候補材料である，Ti系ホイスラー合金およびMn系ホイスラー合金の薄膜作製に取り組んだ．
Ti系ホイスラー合金については，格子整合性の観点から，その基板としてGd3Ga5O12（GGG）単結晶を選択した．はじめに，GGG基板自体の平坦性を確保するために，基板加熱条件の最適化をおこなった．その結果，900℃で大気中熱処理をおこなうことで，明瞭なステップ・テラス構造を有する原子層レベルで平坦な表面（平均粗さ0.1 nm程度）を得ることに成功した．つづいて，そのGGG基板上に，Ti系ホイスラー合金のバッファ層として利用する，Mg2Ge薄膜を作製した．基板加熱条件を系統的に変えて成膜をおこなったが，これまでのところ，単結晶薄膜の作製には成功しておらず，引き続き成膜条件の最適化が必要である．また，本研究で扱うTi系ホイスラー合金にはTi2MnAlを選択し，作製した薄膜の組成分析の結果から，おおよそ狙い通りの組成が得られていることを確認した．Mn系ホイスラー合金については，単結晶MgO基板上に，Mn2TiAlの薄膜作製をおこなった．はじめに，各材料の薄膜の組成分析をおこない，おおよそ狙い通りの組成が得られていることを確認した．つづいて，単結晶のTi2MnAlおよびMn2TiAl薄膜を作製するために，その基板加熱条件の最適化に取り組んだ．300℃から700℃まで基板加熱温度を変えて成膜をおこなったが，これまでのところ，単結晶薄膜の作製には成功しておらず，引き続き成膜条件の最適化が必要である．また，作製した薄膜の磁気特性も評価したが，有限な磁化は観測されておらず，Mn2TiAlの規則構造は得られていないと考えられる．
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