| 研究課題/領域番号 |
21K14522
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
小区分29010:応用物性関連
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 |
|---|
研究代表者 |
NGUYEN THIVANANH 東北大学, 先端スピントロニクス研究開発センター, 助教 (20840101)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2023-03-31
|
| キーワード | Spin orbit torque / Spin split effect / Spin Hall effect / Antiferromagnetic / SOT-MRAM / RuO2 / Functional oxides / RuO2/FM bilayer |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では、RuO2/強磁性積層膜におけるスピン軌道トルク (SOT) 誘起磁化スイッチングを研究し、新しいスピントロニクスデバイス応用に向けた新しい機能の実現を目指しました。
RuO2 薄膜は、結晶性、表面、抵抗率がよく制御されて製造されました。 極性がよく理解されている RuO2 薄膜内で生成されるスピン流を使用して、FM 層の磁化反転を誘導しました。 有効な SOT 磁場が調査され、RuO2 結晶構造の対称解析の下でスピン ホール伝導率テンソルを考慮することにより、これらの SOT 磁場の起源は主にスピン分割効果に起因すると考えられました。
|
| 自由記述の分野 |
応用物理工学
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
This research fulfilled the lack of investigation of the SOT-induced magnetization switching under the spin-split origin in RuO2/FM bilayer by a well-controlled crystallinity of RuO2 and a thoughtful combination of experiment and calculation. This also open a new switching mechanism for SOT devices.
|
