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磁気抵抗効果を示す候補材料として、化学ドープされた共役高分子材料とCovalent Organic Framework（COF）の新規合成を試みた。
ドープ密度を制御した共役高分子材料については、電磁波分光法を用いてその電子状態の観測を行った。高ドープになるに従いポーラロン束縛エネルギーが小さくなり、電荷の段階的な非局在化が示唆された。
COF材料において、骨格に組み込まれたピレン部位では中心骨格と芳香環の水素の立体反発が生じているが、アザピレンへの置換により緩和することができた。電気伝導特性についても電磁波分光法により高い光過渡電気伝導度を得ることができた。
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