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半導体中で最高水準のエネルギー変換効率が期待されるダイヤモンドpn接合ベータボルタ電池の研究として、(1)特性を劣化させる欠陥の分類、(2)基板の高品質化・大型、(3)遠隔地を想定したエネルギー変換効率の温度依存性評価を実施した。(1)については、高圧合成基板に由来した積層欠陥が順方向特性を劣化させることが分かった。(2)については、(100)CVDバルク成長技術を用いて、欠陥の低減、大型の(111)CVD基板作製方法に成功した。(3)については、150K以上でSi比２倍以上の高いエネルギー変換効率を得た。
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