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炭化珪素は次世代のパワーデバイス用半導体として期待され、MOS型電界効果トランジスタの社会実装が進んでいる。しかし、MOS構造を構成する絶縁膜とSiCとの界面には多量の欠陥が存在し、デバイス性能や信頼性劣化の原因となっている。しかし、界面欠陥の全貌は未だに明らかになっておらず、絶縁膜界面の高品質化が求められている。本研究では、SiC MOS界面の特異性の理解と、界面設計指針の再構築を最終的な目標として、SiC表面の酸化を伴わないMOS構造作製技術の開拓や、界面物性解析に特化したMOSデバイスの試作と特性解析に取り組んだ。
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