| 研究課題/領域番号 |
21K18189
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| 研究種目 |
挑戦的研究(開拓)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
斉藤 好昭 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (80393859)
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| 研究分担者 |
手束 展規 東北大学, 工学研究科, 准教授 (40323076)
池田 正二 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (90281865)
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| 研究期間 (年度) |
2021-07-09 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
IT関連システムで不揮発性のデータ記録媒体として広く用いられている強磁性体メモリーの限界を超える高密度の新たなメモリーの可能性を切り拓くために、従来と原理が異なる反強磁性体の二層構造を有する新規デバイスの動作原理を実証して、その可能性を開拓して次世代デバイスの実現に挑戦する研究である。
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| 学術的意義、期待される成果 |
本研究は、メモリーデバイスは強磁性体でしかできないという一般常識を破り、反強磁性体によってメモリデバイスを構築して、さらなる高密度化への発展を阻害していた漏れ磁場による素子間の干渉を解決して超高密度・超高速・低消費電力スピンメモリを実現しようとする、新概念の開拓と確立を目指すところが高く評価された。
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