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2021 年度 実施状況報告書

SEUを利用した高位置分解能型半導体検出器の開発

研究課題

研究課題/領域番号 21K18631
研究機関大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

研究代表者

津野 総司  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (30451834)

研究分担者 田窪 洋介  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (50423124)
武田 彩希  宮崎大学, 工学部, 准教授 (40736667)
研究期間 (年度) 2021-07-09 – 2024-03-31
キーワード半導体検出器 / SEU
研究実績の概要

SRAMメモリの揮発性を検証するために、メモリを読み書きできる電子回路を設計し、マイコンで情報を制御できるシステムを構築した。電源投入後、情報をメモリに書き込み、一定時間、設定電圧を人為的に低く設定し、どこまで、情報が保持されるのか、検証した。この操作に基づき、情報が失われる状況時に、最もSEUが発生しやすい事を突き止めていく。
また、新規の半導体検出器の開発の全体的な方針を決定した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

昨今の半導体不足により、発注品の入荷が予測できないことが不安要因である。特に半導体プロセスは、学術界の相乗りの形で、プロセスを依頼するので、全体の進捗状況に左右される。この点は、今後も注視していかなければならない。

今後の研究の推進方策

実際に、メモリチップに放射線源を照射し、SEUを観測する。特に、SEUが起こりやすい状況を人為的に作り出し、その発生確率を計測する。この結果が、最終的な新規の半導体検出器開発の最適化パラメーターとなる。

次年度使用額が生じた理由

回路設計に時間を要したため、備品に必要となる計測類の調達ができなかった。また、代替品も見つかったため、当初、予定より安価に実験を進めることができた。

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公開日: 2022-12-28  

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