| 研究課題/領域番号 |
21K18631
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
津野 総司 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (30451834)
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| 研究分担者 |
田窪 洋介 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (50423124)
武田 彩希 宮崎大学, 工学部, 准教授 (40736667)
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| 研究期間 (年度) |
2021-07-09 – 2024-03-31
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| キーワード | 半導体検出器 / メモリチップ / SEU |
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| 研究実績の概要 |
当該研究の目的は、商用のSRAMメモリチップを応用して、荷電粒子に対する新しい放射線検出器を開発することである。当該年度は、単層のSRAMメモリチップの荷電粒子に対する検出効率を測定した。先行研究により、SRAMに印加する動作電圧を大きく下げるとSEUによるビットフリップの確率(つまり、検出効率)が冪乗で上昇することが報告されている。200Mbqのストロンチウム線源を用い、印加電圧を変えながら、SRAMチップに照射を繰り返し、印加電圧に対して、約1%の検出効率を測定した。1%の検出効率では測定器として機能しない。しかしながら、印加電圧を大きく下げると自然にビットフリップを起こす確率も必然的に増加する事を利用して、印加電圧の代わりに、この自然にビットフリップを起こす事象をノイズと規定し、ノイズに対する検出効率を算出すると、おおよそ、20%まで検出効率が上昇することを確認した。これは、つまり、ノイズの量を制御するフィードバック回路などを駆使すれば、最大20%の検出効率が達成できることを示している。
今後は、多層のSRAMチップで同様の測定を行うこと、さらには、当該研究費を使って、具体的な検出器の製作に取り掛かる。第一段階の検出器の製作は、既存の半導体検出器の電極の四方周りに、SRAMチップを配置するものである。これにより、電極のサイズよりもさらに１桁小さい空間分解能を得ることが可能になる。最終的には、SRAMを多層に配置することによって、100倍以上の空間分解能を得ることを目的としている。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
研究に於ける原理実証試験は、概ね実証したが、当該研究費の使途に関しては、大幅に遅れている。我々は、学術系の半導体プロセスを利用しているが、昨年に予定していたプロセスが延期されため、予定委通り研究費を使用できなかった。半導体の供給遅れによるものと思われる。
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| 今後の研究の推進方策 |
昨年度の予定であった半導体検出器の製作プロセスを本年度後半に行うこととなった。それまでは、商用の多層構造SRAMチップの検出効率の測定を行いたい。また、シミュレーションによる簡易計算を行い、実質的のどれくらいの層で、どれくらいのノイズレベルであれば、当該検出器で、荷電粒子に対する飛跡再構成が可能であるか見積もる。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
当該年度では、半導体検出器製作に学術系プロセスを利用して、3,000千円の使用を予定していたが、次年度へ遅延したため、使用することができなかった。次年度にこの製作を行う。
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